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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S18120HR3 MRF8S18120HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 6. EVM versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
Pout=72WAvg.
25 W Avg.
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
1900
0
6
1800
3
1
1840
1820
4
2
1860
46 W Avg.
-- 4 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 7. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
-- 4 5
-- 5 0
-- 5 5
f = 1880 MHz
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz (dBc)
-- 6 0
-- 6 5
-- 7 0
0
-- 8 0
-- 5 0
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 6 0
-- 6 5
-- 7 0
10
Figure 8. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 600 kHz (dBc)
20 10030 40 50
60 70 80 90
-- 7 5
-- 5 5
5
1880
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
1840 MHz
1805 MHz
f = 1880 MHz
1840 MHz
1805 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
100
4
10
8
6
0
10
1
2
15
75
45
30
0
Figure 9. EVM and Drain Efficiency versus
Output Power
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
EVM
60
ηD
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
f = 1880 MHz
1840 MHz
1805 MHz
1840 MHz
Figure 10. Broadband Frequency Response
0
20
1440
1540
f, FREQUENCY (MHz)
VDD
=28Vdc
Pin
=0dBm
IDQ
= 800 mA
15
10
5
GAIN (dB)
Gain
1640 1740 1840 2040 2140 2240 23401940
IRL
-- 2 0
0
-- 5
-- 1 0
-- 1 5
IRL (dB)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA
EDGE Modulation
VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA
EDGE Modulation
VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA
EDGE Modulation
VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA
EDGE Modulation
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